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  技术动态    
光刻芯片新突破:光刻对准精度=激光波长的1/50000!
作者:cmh        来源:OFweek激光网 
日期:2024-11-14    阅读次数:219
副标题:

   据 OFweek 激光网,于2024年11月05日报道,近日,马萨诸塞大学阿默斯特分校的研究团队开创了一种新技术,利用激光照射芯片上的同心超透镜生成全息图,从而实现对3D半导体芯片的精确对齐。

这项研究成果在《自然·通讯》杂志上发表,不仅有望降低2D半导体芯片的生产成本,还推动了3D光子与电子芯片的可行性,并为其他低成本、紧凑型的传感器技术的发展奠定了基础。

半导体芯片是电子设备处理、存储和接收信息的核心,其功能由芯片内嵌的特定元件布局决定。然而,随着2D设计的潜能接近极限,3D集成技术被视为突破瓶颈的关键路径。

构建3D芯片,需要将多个2D芯片堆叠,并确保各层在三维方向上(即前后、左右及垂直间隙,对应x、y、z轴)精确对齐,误差需控制在几十纳米内(1毫米等于100万纳米)。

麻省大学阿默斯特分校电子与计算机工程副教授、论文资深作者Amir Arbabi比解释,传统对齐方法是利用显微镜观察每层上的标记(如角或十字准线)并尝试重叠,但这种方法不适用于3D芯片制造。论文第一作者、博士生Maryam Ghahremani指出,显微镜无法同时清晰聚焦两层标记,因为层间间隙达数百微米,重新聚焦过程中可能引发芯片移动和错位。

研究团队模拟并测量了从150纳米至1微米(1000纳米)的不同横向不对准情况。Maryam Ghahremani还提到,显微镜的分辨率受限于衍射极限,约为200纳米。

Amir Arbabi团队的新校准技术无需移动部件,能在更小范围内检测两层间的不对准。他们期望达到100纳米的精度,而实际测试中,沿x和y轴测量的误差低至0.017纳米,z轴上的误差也仅为0.134纳米,远超预期。Amir Arbabi表示,该技术能通过观察光穿过物体的变化,检测到仅相当于一个原子大小的移动,肉眼可识别几纳米的误差,计算机则能读取更微小的误差。

为实现这一目标,研究团队在半导体芯片上嵌入了由同心金属透镜构成的对准标记。激光穿过这些标记时,会形成两个干涉全息图。加赫拉曼尼指出,这些干涉图像能直观显示芯片是否对齐,以及不对齐的方向和程度。

“对于半导体工具制造商而言,芯片对齐是一个艰巨且“烧钱”的挑战。”Amir Arbabi说,“我们的方法解决了这一难题之一。”此外,该技术降低了成本,为寻求半导体创新的小型初创公司提供了更多机会。

Amir Arbabi还提到,该技术可应用于制造位移传感器,用于测量位移等物理量。他说:“许多待检测的物理量都可转化为位移,只需一台激光器和相机即可。”例如,通过测量膜的运动可制作压力传感器,任何涉及运动的现象,如振动、热量、加速度等,理论上均可通过该技术追踪。

 小结

在当前的芯片制造中,多层图案的对准依赖于显微成像技术,但由于距离较大,传统方法难以达到所需的纳米级精度。而麻省大学阿默斯特分校的研究团队通过引入超表面对准标记,配合激光和相机,成功实现了亚纳米级精度的对准,大大提高了精度和操作简便性。

实验结果表明,该方法能够实现横向精度为激光波长的五万分之一,轴向精度为激光波长的六千三百分之一。这一技术有望推动新一代3D集成光学与电子芯片的生产,为高精度位移传感器等应用铺平道路。


    
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