据半导体产业网，于2025年09月10日报道，9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，云南鑫耀半导体材料有限公司技术副总经理韦华将受邀出席论坛，并带来《VGF法磷化铟热场优化控制对单晶缺陷形成的影响》的主题报告，敬请关注！

嘉宾简介

韦华，在读博士、高级工程师。云南鑫耀半导体材料有限公司技术副总经理，2021年获昆明市“春城计划”高层次青年引进人才。研究领域主要为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶生长、晶片加工、检测测试，主要包括单晶生长热场模拟、缺陷抑制、亚表面损伤层研究等。主持或参与省市级项目5项，发表论文10余篇，申请专利25项，主持参与制修订团体标准3项。解决了国产高纯铟、国产高纯磷自主合成磷化铟多晶关键技术，φ4.5-6英寸磷化铟单晶生长关键技术，VGF+VB联动法动磷化铟新长晶技术，磷化铟单晶智能自适应控温技术，磷化铟自动清洗新技术，推动高品质磷化铟国产化替代，实现加快光电半导体战略材料自主可控进程。

单位简介

云南鑫耀半导体材料有限公司，是一家专业从事砷化镓、磷化铟等光电半导体材料研发、生产及销售的国家级高新技术企业，是我国著名的III-V族化合物半导体材料生产商和供应商，是国内唯一一家华为战略投资入股的砷化镓、磷化铟生产企业，拥有III-V族高端光电半导体材料研发平台和产业化生产线，掌握砷化镓、磷化铟从单晶生长、晶片加工、测试检验完整的关键技术和核心工艺。公司拥有专利69项；先后承担国家级、省部级项目10余项；主持或参与制修订标准5项，软著3项。2021年获国家级“专精特新”重点小巨人、“国家级绿色工厂”、云南省制造业单项冠军企业等荣誉，2024年度获智能制造100强企业。

报告前瞻

报告题目：VGF法磷化铟热场优化控制对单晶缺陷形成的影响

报告摘要：针对高端光电子和微电子器件用高品质InP晶片存在的位错、孪晶等缺陷问题，借助CGSIM数值正交模拟，研究获得VGF热场轴向/径向温度分布、热流/溶体流动、固液界面形状与位错及应力分布的影响规律。轴向温度梯度、生长速率为显著影响因素，籽晶熔接及转肩阶段存在较大的位错及应力分布，增大籽晶及PBN坩埚锥部导热可显著优化固液界面。掺S型晶体位错由热应力驱动，掺Fe型晶体的高位错由Fe析出物诱发；通过VGF+VB联动技术可实现热应力驱动下的位错抑制。固液界面小平面局部过冷是孪晶形核的主要驱动力，通过坩埚锥角优化、自适应精确控温算法可工程实现降低应力波动，进而抑制孪晶，实现低成本、低缺陷、高均匀性VGF-InP单晶生长技术。