据半导体产业网，于2025年09月09日报道，9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将在云南昆明举办。届时，云南大学材料与能源学院（研究员，云南省重点实验室副主任）、云南中科鑫圆晶体材料有限公司科技副总经理王茺受邀将出席会议，并带来《GaSb基异质薄膜的磁控溅射生长机理及其光电探测性能研究》的主题报告，分享最新相关趋势，敬请关注！

嘉宾简介

王茺，云南大学博士生导师，研究员（三级岗），云南中科鑫圆晶体材料有限公司科技副总经理，长期从事半导体材料与器件的教学、研究和产业化推广工作，曾先后开展InAs/GaAs量子阱&量子点、Ge/Si量子点、锗基合金、Ge单晶、InAs单晶、GaAs单晶和GaSb单晶等多种新型半导体材料技术研发。主持国家自然科学基金、云南省应用基础研究重点、教育部科学研究重点以及云南省重大科技计划专项子课题等重大科研任务16项。以第一和通讯作者发表高水平SCI论文90余篇，代表性论文刊登在Adv. Mater., J. Energy Chem., ACS Photonics, Small和Nano Lett.等国际顶级期刊上。共获得中国发明专利授权17项。先后 4 次获得云南省科学技术奖励特等奖、一等奖和二等奖。入选云南省引进高层次人才、云南省中青年学术技术带头人、云南省万人计划和云南省产业创新人才，担任《红外技术》期刊青年编委、中国微米纳米技术学会以及中国材料研究学会的青年工作委员会理事。

单位简介

云南大学光电子与能源材料团队一直围绕非制冷探测材料与器件、Si基光电器件、钙钛矿太阳电池与探测器、III-V族晶片及红外探测材料开展研究，形成了一支富有创新力的研究团队，承担了多项国家自然科学基金项目和云南省重大科技专项项目，在光电材料和器件的研究方面分别获得了云南省科学技术奖自然科学类一和二等奖。

云南中科鑫圆晶体材料有限公司是一家专业从事低位错、高性能空间太阳能电池用锗单晶材料的国家高新技术企业，是国内最大的锗单晶衬底片生产企业。公司先后承担了国家、省部级重大专项15余项。公司获得国家级专精特新“小巨人”、国家级“绿色工厂”荣誉；获得授权专利44件，主持/参与制定13项国家标准。通过科技成果转化，空间卫星太阳能电池用锗单晶衬底片产品实现了国产化替代、填补了国内空白。

报告前瞻

报告题目：GaSb基异质薄膜的磁控溅射生长机理及其光电探测性能研究

报告摘要：GaSb与InAs因其高的光吸收系数和载流子迁移率以及易形成II型能带结构等特性，在光电探测器应用领域引起极大关注。然而，MBE和CVD法因制备的高成本限制了器件的应用。磁控溅射法作为物相沉积法具有高溅射速率、规模化、低成本的优点，对于GaSb基光电子器件应用具有广阔的潜力。由于GaSb与InAs薄膜的晶格常数相匹配，采用GaSb衬底进行InAs薄膜的外延可以极大幅度降低薄膜内的缺陷与位错数量。综上，本团队利用GaSb衬底晶格常数与InAs材料晶格常数相近的特点，通过磁控溅射法，制备了GaSb薄膜材料作为缓冲层，开展了非晶GaSb薄膜退火晶化研究，通过分析生长参数对于GaSb薄膜结晶与退火晶化的影响，制备了高质量、均匀平整的GaSb薄膜。首次通过磁控溅射法在GaSb衬底表面外延出（111）取向的多晶InAs薄膜，通过探究InAs薄膜退火氧化效应的影响，采用磁控仪在衬底解析温度以制备出大晶粒尺寸、低晶界密度的InAs薄膜。磁控共溅射法制备GaInAsSb薄膜，并研究了不同生长温度的影响。为磁控溅射法生长Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜开辟了新的研究途径。