据半导体产业网，于2025年09月18日报道，9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，山东大学新一代半导体材料研究院教授张雷将出席会议，并带来《大尺寸氮化镓和氮化铝晶体生长研究新进展》的主题报告，敬请关注！

嘉宾简介

张雷，山东大学晶体材料全国重点实验室、新一代半导体材料研究院教授、博士生导师，《人工晶体学报》青年编委；山东省泰山学者青年专家，山东晶镓半导体有限公司董事长。主要从事宽禁带氮化物半导体（GaN、AlN）晶体生长及性能研究工作，氮化物半导体晶体研究方向负责人，先后主持了中央高校科技领军人才团队项目、国家自然科学基金等国家及省部级项目20余项，在Adv Mater等期刊发表SCI论文80余篇，获授权发明专利30余项，其中4项实现了成果转化。

报告前瞻

报告题目：大尺寸氮化镓和氮化铝晶体生长研究新进展

报告摘要：氮化镓作为宽禁带半导体的关键材料，已在光电、射频和功率器件等领域实现了大规模应用。其中，高质量GaN单晶衬底对提升器件性能具有尤为重要的作用。山东大学在大尺寸、高质量GaN单晶生长技术方面提出了创新性解决方案，并取得了显著进展。同时，课题组在另一种超宽禁带半导体材料——AlN单晶衬底的制备方面，近期于晶体尺寸与质量上也实现了重要突破。报告将重点介绍以下三方面内容：采用氢化物气相外延（HVPE）方法生长GaN晶体的最新进展、物理气相传输（PVT）方法生长AlN晶体的新突破，以及山东大学在大尺寸AlN单晶生长方面的最新研究成果。期望通过这些分享，能够引起更多科研工作者对GaN和AlN单晶材料的关注，共同推动宽禁带半导体产业链的创新发展。