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  技术动态    
美国开发出可用于纳米材料的光刻新技术
作者:cmh        来源:国防科技信息网 
日期:2017-08-08    阅读次数:96
副标题:

        据 许文琪 报道,今日科学网站 2017 年 7 月 27 日讯,芝加哥大学和美国阿贡国家实验室共同开发出可以精确图案化纳米材料的新方法,为下一代电子器件开辟新路径。研究成果将于7月28日,发表在《 科学 》杂志。  
        新技术将使纳米材料更容易地用于 LED 显示器、手机、光电探测器和太阳电池。虽然纳米材料有望用于电子器件,但是将纳米材料制成复杂微型结构比较困难。  
        芝加哥大学化学系教授德米特里-塔拉宾说: “ 这是将量子点和其他纳米材料,从概念验证实验转化为实际技术所需要的一步。新技术扩展了我们的视野。”  
        现代计算机的基础是一种微型开关,称为晶体管,可利用光刻技术同时制作数十亿个晶体管,使智能手机价格低、普及度高。光刻技术利用紫外光对刻有图案的掩模板曝光,当新材料沉积在顶层后,去除掩模板,显示图案。通过几轮这样的图案过程,在材料上构建微型晶体管。  
        但是传统光刻技术受到限制,仅部分材料可以采用这种方式图案化。 最初,传统光刻技术是为硅开发的,科学家们正在展望未来的材料。  
        研究人员正在开发纳米材料光刻技术, 纳米材料是金属或者半导体的小型晶体。在纳米尺度上,纳米材料具有独特性质,但是制备纳米器件比较困难。  
        新技术称为 DOLFIN, 使不同纳米材料在工艺中直接变成 “墨”,不需要沉积聚合物模板。研究团队精心设计了单个颗粒的化学涂料,这些化学涂料可与光反应,如果将光照射在图案化掩模板上时,光直接将图案转移到下面的纳米颗粒层。  
        新技术的光刻质量与传统光刻技术相当, 可用于宽范围材料中,例如半导体、金属、氧化物或者磁性材料——都是电子元件制备的常用材料。 

    
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