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  技术动态    
DARPA着眼可信半导体制造
作者:cmh        来源:国防科技信息网 
日期:2018-12-15    阅读次数:331
副标题:

        据 刘彧宽 报道,军事宇航网站2018年12月6日讯,2018年12月下旬,美国军方研究人员将向工业界公布 一项新计划,该计划旨在从制造到系统集成领域,针对各种可信计算应用,帮助开发安全集成电路技术。     
        2018年12月19日,位于弗吉尼亚州阿灵顿的美国国防先期研究计划局(DARPA)的官员将举办行业简报会,介绍即将实施的电子复兴:国防应用(ERI:DA)计划。 ERI:DA是最近宣布的DARPA电子复兴计划第二阶段计划中几个潜在的跨部门公告之一。简报的目的是向工业界介绍ERI第二阶段的防务应用;并报告当前ERI计划的概述。     
        ERI:DA计划旨在利用目前ERI计划重点推动的技术——即对美国国内安全芯片制造支持的需要;投资芯片安全;并演示用于国防应用的新ERI技术,进而开发具有革命性的国防能力。美国国防先期研究计划局的官员说,他们希望促进那些有能力将电子创新应用到国防硬件的机构间的合作。这些非机-密简报既能介绍政府概述,又能给这些公司带来构建团队的机会。     
        ERI阶段II将在现有ERI计划的基础上,帮助支持美国国内半导体制造工艺,帮助美国国防电子系统集成商实现专用电路。     
        此外,这项努力旨在确保这些电子电路可以通过供应链而得到信任,并在考虑到安全性的前提下构建,确保技术进步最终应用于国家安全。DARPA的研究人员正在寻找将先进电子技术应用于以下领域中的方法:机器自动化和人工智能;大规模真;网络安全;空间应用程序;认知电子战;以及情报、监视和侦察(ISR)。     
        符合条件的ERI计划可能包括:异构集成和知识产品复用策略(CHIPS);三维单芯片系统(3DSoC);新式计算基础需求(FRANC);软件定义硬件(SDH);特定领域片上系统(DSSoC);电子设备智能设计(IDEA);高端开源硬件(POSH);和联合大学微电子计划(JUMP)。     
        2017年6月,DARPA宣布了电子复兴计划的第一阶段,该计划已经花费了超过15亿美元,用于提升微电子性能,以超越传统晶体管规模的限制,同时展示了这项研究对于国防的影响。2018年7月,DARPA宣布了ERI计划的首批六个全新项目。
    

    
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