光子集成电路应用（电信、数据通信、激光雷达和传感器等）正在推动磷化铟（InP）晶圆市场的发展！
数据通信是磷化铟晶圆市场的重要推动者
据麦姆斯咨询介绍，作为重要的三五族化合物半导体之一，磷化铟 （InP） 具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大等优点，在两大应用领域拥有关键优势：（1）光子领域：波长为1000nm以上的发射和探测能力；（2）射频领域：高频RF应用中的高速和低噪声性能。虽然砷化镓（GaAs）和硅化锗（SiGe）等竞争对手的出货量较大，但是InP仍然是军事通信、雷达和辐射测量等性能驱动型利基市场以及自动测试设备的首选。此外，一些行业参与者（ 如Skyworks、GCS、IntelliEPI ）正在关注即将到来的5G通信方面的InP技术。
目前，InP 晶圆市场的真正推动力在于光子应用。在光通信中，InP 在许多功能中提供高性能，包括发射、探测、调制和混合等，但由于其高成本，InP 经常受到其它半导体技术的挑战。然而，InP 是电信和数据通信应用中的收发器激光二极管不可或缺的构建模块。针对最近放缓的周期性电信市场，我们预计未来5G网络将会产生大规模投资计划。实际上，到 2024 年，电信领域的 InP 晶圆市场预计将达到 5300 万美元左右。此外，数据通信市场的巨额投资将来自互联网巨头，如谷歌（Google）、亚马逊（Amazon）、阿里巴巴（Alibaba）等。
InP 晶圆市场预测
随着对更高速度的数据传输需求，收发器技术正在向提供更高速率（100GbE 和 400GbE）的方向转移，这对 InP 技术更为有利。数据通信领域的 InP 晶圆市场有望爆发，预计 2017～2024 年期间的复合年增长率高达 28％。最后但充满希望的是，激动人心的激光雷达应用可能对 InP 技术有需求，即在更高的激光波长下可保障人眼安全，目前正处于早期研发阶段。
InP 也非常适用于高频RF器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等。因为与 InP 晶格匹配的 InGaAs 外延层的载流子浓度和电子迁移率非常高，超过与 GaAs 晶格匹配的 AlGaAs，这些作为高频器件的 InP 产品在超过十几赫兹的频率范围又很大的应用前景。因此基于 InP 的器件在毫米波通讯、图像传感等新的领域也有市场前景。
InP 产业：在器件层面有众多参与者，在外延片和晶圆层面则高度集中
InP 产业有各种不同的商业模式和众多参与者。值得注意的是，从晶圆到器件制造，该市场的集中度是不一样的。在器件层面，我们发现了30 多家 InP 代工厂和集成制造晶圆厂（fab），其中大部分目前专注于光子集成电路芯片。InP 晶圆厂遍布全球各地，从美国到欧洲和亚洲。大多数参与者都是拥有自己产品的集成制造晶圆厂。这些晶圆厂拥有外延生产能力或研发能力，同时也外包生产一些外延片。 此外，还有 InP 晶圆厂在公开市场上购买外延片。 我们预计未来几年外包比例不会迅速发展。
